Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)

Код: 976150
В наявності в Україні.
Артикул: HMCG66MEBSA092N

Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    відправимо: Післязавтра
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву
    доставимо: Післязавтра
  • Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка) Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка)
    18.05 після 18:00
  •  Гарантія: 99 міс.
  •  Обмін/повернення: 14 дн.
Приват24  Приват24
Рахунок з ПДВ 20%  Рахунок з ПДВ 20%
Рахунок без ПДВ  Рахунок без ПДВ
QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...  QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...
З Вами з 2005 року.
Рейтинг EXE.ua: 4.6
964
90
19
21
63
Опис:
Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Hynix (артикул HMCG66MEBSA092N) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний компонент нового покоління від одного з провідних світових лідерів у виробництві напівпровідників. Дана планка формату SO-DIMM розроблена спеціально для найсучасніших ноутбуків та компактних ігрових систем, забезпечуючи перехід на стандарт DDR5 з базовою тактовою частотою 4800 МГц. Продукція Hynix часто постачається як оригінальне обладнання (OEM) для преміальних лінійок ноутбуків, що гарантує бездоганну сумісність та виняткову стабільність роботи в режимі 24/7. Впровадження архітектури DDR5 принесло інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє високу енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи лептопа та зниження теплового навантаження на внутрішні компоненти. Використання цього модуля дозволяє значно прискорити обробку даних у професійних програмах та сучасних іграх, забезпечуючи плавний відгук системи та стабільну роботу в багатозадачному режимі на базі новітніх процесорів Intel Core та AMD Ryzen.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 4800 МГц.
Схема таймінгів: CL40-39-39.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрована схема управління живленням (PMIC).
Виробник чіпів: SK Hynix (Original).
Призначення: Сучасні ноутбуки, моноблоки, Mini-PC.
Товар додано: Лют. 2026 р.
Характеристики:
В наявності Так
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Hynix
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип оперативної пам'яті DDR5
Об'єм оперативної пам'яті 8 Гб
Кількість модулів 1
Частота пам'яті, МГц 4800
Таймінги CL40
Гарантія
Гарантія 99 міс.
Призначення Для ноутбука

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
Арт: M425R1GB4BB0-CQK
Код: 962634
0
В наявності
Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)
Арт: M425R1GB4BB0-CWM
Код: 984329
0
Наявність уточнюйте