Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)

Код: 984329
В наявності в Україні.
Артикул: M425R1GB4BB0-CWM

Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    відправимо: Післязавтра
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву
    доставимо: Післязавтра
  • Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка) Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка)
    Післязавтра після 18:00
  •  Гарантія: 12 міс.
  •  Обмін/повернення: 14 дн.
Приват24  Приват24
Рахунок з ПДВ 20%  Рахунок з ПДВ 20%
Рахунок без ПДВ  Рахунок без ПДВ
QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...  QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...
З Вами з 2005 року.
Рейтинг EXE.ua: 4.6
972
90
19
21
63
Опис:
Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CWM) об'ємом 8 ГБ — це оригінальний високотехнологічний компонент нового покоління від світового лідера у виробництві напівпровідників. Дана планка формату SO-DIMM розроблена для найсучасніших ноутбуків та компактних систем, що базуються на передовій архітектурі DDR5. Завдяки тактовій частоті 5600 МГц, цей модуль забезпечує колосальну пропускну здатність, що дозволяє миттєво обробляти великі масиви даних, прискорювати завантаження програм та гарантувати плавність ігрового процесу. Будучи оригінальним продуктом Samsung, модуль проходить найсуворіший контроль якості та тестування, що гарантує бездоганну стабільність роботи навіть у режимі максимального навантаження. Стандарт DDR5 приносить інтегровану технологію On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові помилки безпосередньо в чіпах пам'яті, суттєво підвищуючи надійність системи. Завдяки вбудованому вузлу управління живленням (PMIC) на самій платі та низькій робочій напрузі 1.1 В, модуль демонструє чудову енергоефективність, що критично важливо для подовження автономної роботи ноутбука та зниження теплового навантаження на внутрішні компоненти пристрою.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 5600 МГц (PC5-44800).
Схема таймінгів: CL46 (стандарт JEDEC для частоти 5600).
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC (внутрішня корекція помилок), інтегрований PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung (Original).
Товар додано: Кві. 2026 р.
Характеристики:
В наявності Так
Призначення Для ноутбука
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Samsung
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип оперативної пам'яті DDR5
Об'єм оперативної пам'яті 8 Гб
Кількість модулів 1
Частота пам'яті, МГц 5600
Таймінги CL46
Робоча напруга, В 1.1
Охолодження ні
Гарантія
Гарантія 12 міс.

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Samsung, 1.1V, CL46 (M425R1GB4PB0-CWM)
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Samsung, 1.1V, CL46 (M425R1GB4PB0-CWM)
Арт: M425R1GB4PB0-CWM
Код: 771065
0
В наявності
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)
Арт: HMCG66AGBSA092N AA
Код: 886903
0
В наявності
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
СПЕЦ. ЦІНА
-16%
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
Арт: M425R1GB4BB0-CQK
Код: 962634
0
В наявності
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Micron, 1.1V, CL46 (MTC4C10163S1SC56BD1)
Арт: MTC4C10163S1SC56BD1
Код: 973418
0
В наявності