Telegram
Viber
WhatsAppПам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
* Ціни товарів з бейджем "СПЕЦ. ЦІНА", дійсні за умов передплати.
У відділення «Нова пошта»
відправимо: 09.06
Кур`єр по Києву
доставимо: 09.06- Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка)09.06 після 18:00
- Гарантія: 60 міс.
- Обмін/повернення: 14 дн.
Приват24
Рахунок з ПДВ 20%
Рахунок без ПДВ
QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ... З Вами з 2005 року.
| 969 | ||
| 90 | ||
| 19 | ||
| 21 | ||
| 63 |
Опис:
Опис товаруМодуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CQK) об'ємом 8 ГБ — це високотехнологічний компонент нового покоління, створений для забезпечення стабільної та швидкої роботи сучасних ноутбуків. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною якістю збірки та максимальною сумісністю з портативними комп'ютерами на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen останніх серій. Робоча частота 4800 МГц гарантує високу пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорюючи завантаження програм та роботу в режимі багатозадачності. Важливою інновацією стандарту DDR5 є наявність вбудованої функції корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) безпосередньо на платі модуля та низькій напрузі 1.1 В, пам'ять споживає менше енергії, що позитивно впливає на автономність ноутбука та зменшує його внутрішнє нагрівання. Це ідеальний вибір для базової модернізації пристрою, де на першому місці стоїть надійність компонентів та відповідність найсучаснішим галузевим стандартам JEDEC.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 4800 МГц.
Схема таймінгів: CL40-39-39.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрований модуль PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung.
Товар додано: Гру. 2025 р.
Характеристики:
| В наявності | Так |
| Основні характеристики | |
| Тип | Оперативна пам'ять |
| Виробник | Samsung |
| Форм-фактор пам'яті | SO-DIMM |
| Тип оперативної пам'яті | DDR5 |
| Об'єм оперативної пам'яті | 8 Гб |
| Кількість модулів | 1 |
| Частота пам'яті, МГц | 4800 |
| Таймінги | CL40 |
| Гарантія | |
| Гарантія | 60 міс. |
| Призначення | Для ноутбука |
* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.
Рекомендуємо переглянути
Модуль пам'яті CRUCIAL SO-DIMM DDR5 4800MHz 8GB (CT8G48C40S5)
* Ціни товарів з бейджем "СПЕЦ. ЦІНА", дійсні за умов передплати.
Код: 609350
В наявності
![Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)](/wa-data/public/shop/products/03/69/886903/images/886903001/886903001.250.jpg "Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)")
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Hynix, 1.1V, CL46 (HMCG66AGBSA092N AA)
* Ціни товарів з бейджем "СПЕЦ. ЦІНА", дійсні за умов передплати.
Код: 886903
В наявності
Память SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 5600 MHz, Micron, 1.1V, CL46 (MTC4C10163S1SC56BD1)
* Ціни товарів з бейджем "СПЕЦ. ЦІНА", дійсні за умов передплати.
Код: 973418
В наявності
![Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)](/wa-data/public/shop/products/50/61/976150/images/976150001/976150001.250.jpg "Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)")
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)
* Ціни товарів з бейджем "СПЕЦ. ЦІНА", дійсні за умов передплати.
Код: 976150
В наявності