Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)

Код: 962634
В наявності в Україні.
Артикул: M425R1GB4BB0-CQK

Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Samsung, 1.1V, CL40 (M425R1GB4BB0-CQK)
  • У відділення «Нова пошта» У відділення «Нова пошта»
    відправимо: Післязавтра
  • Кур`єр по Києву Кур`єр по Києву
    доставимо: Післязавтра
  • Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка) Самовивіз (м.Київ, м. Тараса Шевченка)
    18.05 після 18:00
  •  Гарантія: 60 міс.
  •  Обмін/повернення: 14 дн.
Приват24  Приват24
Рахунок з ПДВ 20%  Рахунок з ПДВ 20%
Рахунок без ПДВ  Рахунок без ПДВ
QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...  QR + IBAN - Моно, Приват, інші банки ...
З Вами з 2005 року.
Рейтинг EXE.ua: 4.6
964
90
19
21
63
Опис:
Опис товару
Модуль оперативної пам'яті Samsung (артикул M425R1GB4BB0-CQK) об'ємом 8 ГБ — це високотехнологічний компонент нового покоління, створений для забезпечення стабільної та швидкої роботи сучасних ноутбуків. Будучи продуктом від провідного світового виробника напівпровідників, цей модуль вирізняється бездоганною якістю збірки та максимальною сумісністю з портативними комп'ютерами на базі процесорів Intel Core та AMD Ryzen останніх серій. Робоча частота 4800 МГц гарантує високу пропускну здатність, що дозволяє системі миттєво обробляти дані, прискорюючи завантаження програм та роботу в режимі багатозадачності. Важливою інновацією стандарту DDR5 є наявність вбудованої функції корекції помилок On-die ECC, яка автоматично виправляє бітові збої, суттєво підвищуючи надійність роботи операційної системи. Завдяки інтегрованій схемі керування живленням (PMIC) безпосередньо на платі модуля та низькій напрузі 1.1 В, пам'ять споживає менше енергії, що позитивно впливає на автономність ноутбука та зменшує його внутрішнє нагрівання. Це ідеальний вибір для базової модернізації пристрою, де на першому місці стоїть надійність компонентів та відповідність найсучаснішим галузевим стандартам JEDEC.
Технічні характеристики
Об'єм пам'яті: 8 ГБ (один модуль).
Тип пам'яті: DDR5 SO-DIMM (262-pin).
Тактова частота: 4800 МГц.
Схема таймінгів: CL40-39-39.
Робоча напруга: 1.1 В.
Технології: On-die ECC, інтегрований модуль PMIC.
Архітектура: 1Rx16 (однорангова структура).
Виробник чіпів: Samsung.
Товар додано: Гру. 2025 р.
Характеристики:
В наявності Так
Основні характеристики
Тип Оперативна пам'ять
Виробник Samsung
Форм-фактор пам'яті SO-DIMM
Тип оперативної пам'яті DDR5
Об'єм оперативної пам'яті 8 Гб
Кількість модулів 1
Частота пам'яті, МГц 4800
Таймінги CL40
Гарантія
Гарантія 60 міс.
Призначення Для ноутбука

* Характеристики, комплект поставки та зовнішній вигляд товару можуть відрізнятися від зазначених і/або можуть бути змінені виробником без відображення в картці товару.

Рекомендуємо переглянути

Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)
СПЕЦ! ЦІНА
-3%
Пам"ять SO-DIMM, DDR5, 8Gb, 4800 MHz, Hynix, 1.1V, CL40 (HMCG66MEBSA092N)
Арт: HMCG66MEBSA092N
Код: 976150
0
В наявності
Модуль пам"яті SO-DIMM DDR5 8GB 5600 Samsung original C40 (M425R1GB4BB0-CWM)
Арт: M425R1GB4BB0-CWM
Код: 984329
0
Наявність уточнюйте